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U技日报讯(金婉霞记者王春)8?日,由复旦大学微?sh)子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半栅晶体(SFGTQ研I论文刊M《科学》杂志,q是我国U学安ơ在该权威杂志发表微?sh)子器g领域的研I成果。该成果的研制将有助于我国掌握集成电(sh)路的核心技术,从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权?
MOSFETQ金?氧化?半导体场效应晶体)是现在集成电(sh)路的核心器g。在q去的几十年里,各国U学家努力将更多的MOSFET集成C块芯片上来提高运能力,ȝ如何实现更小寸的元器g。张卫表C,随着器g寸来接q其物理极限Q基于新l构和新原理的晶体管成ؓ(f)当前业界急需。半栅晶体的前瞻研发是在这U情况下展开的。研I团队将隧穿场效应晶体管QTEETQ和MOSFET相结合,构徏成了一U名为“半栅”的新型基础器g?
论文W一作者王鹏飞教授解释?“隧I쀝是量子世界的常见现象,可以“魔术般”地通过ZQ好像拥有了I墙术。“隧I쀝势垒越低,相当于“墙”就薄Q器仉I所需?sh)压也就低。把TFET和Q栅晶体管相结合,半Q栅晶体管QSFGTQ的“数据”擦写更加容易、迅速。“TFET为Q栅充攄(sh)、完成‘数据擦写’的操作Q‘半栅’则实现‘数据存攑֒d’的功能。”张卫解释说Q传lQ栅晶体管是将?sh)子隧穿q禁带宽度接q?.9?sh)子伏特的二氧化绝~介质的“厚墙”,而半栅晶体(SFGTQ的隧穿则发生在带宽度?.1?sh)子伏特的硅材料内,隧穿势垒大?f)降低Q这不仅降低了功率,而且其操作速度大幅提高Q接q了?个MOSFETl成的静态随机存储器QSRAMQ?